Несмотря на простую схему при полном отсутствии микросхем, этот усилитель обладает достаточно высокими характеристиками, соответствующими классу Hi-Fi аудиотехники. Усилитель может стать составным звеном для самодельного аудиоцентра или быть "приставкой" для усиления сигнала, поступающего с выхода такой портативной аппаратуры, как кассетный плеер или CD-плеер. Имеется раздельная для каналов регулировка громкости и шестиполосный эквалайзер.
Технические характеристики усилителя:
1. Номинальная / максимальная выходная мощность на нагрузке 4 Ом............... 16 W / 25 W.
2. Номинальная чувствительность ...... 0,25 V.
3. КНИ на частоте 1 кГц при номинальной выходной мощности, не более................... 0,22%.
4. Полоса пропускания (в средних положениях регуляторов эквалайзера) при неравномерности не более 2 дб................ 30.... 25000 Гц.
5. Отношение сигнал /фон не ниже.......... 80 дб.
6. Входное сопротивление............. 1 мОм
7. Диапазон регулировок эквалайзера.... ± 12 дб.Предварительный усилитель содержит два усилительных каскада на транзисторах VT1 и VT2 (по одному для каждого канала) и пассивный шестиполосный эквалайзер. Каскады предварительного усиления питаются напряжением 12 В от параметрического стабилизатора на R77 и VD1. Каскады построены по схемам усилителя напряжения с последовательной ООС по току, осуществляемой через резисторы R9 и R10. Применение транзистор-ров КТ3102Г с большим коэффициентом передачи тока базы позволило получить значительный коэффициент усиления при высоком входном сопротивлении и минимальных искажениях сигнала.
Эквалайзер каждого канала содержит по шесть пассивных фильтров, причем четыре из них (на R56-R59) полосовые, фильтр на - R55 - фильтр нижних частот, регулирующий ограничение частот ниже 60 Гц а фильтр на
- R60 - фильтр верхних частот, регулирующий ограничение частот выше 15 кГц.
Усилитель мощности ЗЧ построен по трех-каскадной схеме, работающей в классе А-В. Гальваническая связь всех его каскадов позволила охватить весь усилитель широкополосной (начиная с нуля Гц) последовательной отрицательной обратной связью по напряжению, и обеспечить, тем самым, высокую стабильность режимов работы усилителя при значительных изменениях питающего напряжения и окружающей температуры. Напряжение обратной связи снимается с эмиттеров выходных транзисторов и через R69 (R81) на эмиттер транзистора VT3 (VT7). Вторая петля ООС — через резистор R70 (R82) служит для уменьшения влияния емкости выходного конденсатора С49 (С55) на выходное сопротивление усилителя. Кроме того, она дополнительно снижает КНИ и фон переменного тока.
Напряжение смещения на базы выходных транзисторов поступает с диода VD3 (VD5), включенного в цепь коллектора транзистора второго каскада. Нелинейность вольт-амперной характеристики диода и её зависимость от окружающей температуры, здесь используется для стабилизации температурного режима выходного каскада (конструктивно, корпус диода должен быть в тепловом контакте с радиаторами выходных транзисторов).
Конденсатор С47 (С53) предотвращает самовозбуждение усилителя на высоких частотах. Резистор R71 (R83) предотвращает изменение режимов усилителя по постоянному току, при обрыве в цепи нагрузки.
Источник питания — простой трансформаторный, не стабилизированный. Трансформатор используется готовый, 40 ваттный. Напряжение питания усилителя может быть от 30 до 50 V (на схеме обозначены напряжения для 40 V), при этом, соответственно, меняется мощность. Повышать напряжение более 50 V не желательно. Выходные транзисторы имеют отдельные радиаторы, площадью поверхности не менее 100 см2. Необходимо обеспечить диоду VD3 (VD5) тепловой контакт с радиаторами.
Налаживание усилителя мощности состоит в симметрировании проходной характеристики подбором номиналов резисторов R61 (R72) и R62 (R73). При этом, постоянное напряжение на эмиттерах выходных транзисторов должно быть равно половине напряжения питания выходного каскада. Кроме того, нужно измерить напряжение между базами выходных транзисторов и если оно отличается от 0,85-0,95 В, то, нужно подобрать диод VD3 (VD5) или последовательно или параллельно ему включить дополнительный резистор, такого сопротивления чтобы получить напряжение между базами выходных транзисторов 0,9 В.
